一种集成电路芯片散热结构
授权
摘要
本实用新型公开一种集成电路芯片散热结构，包括基底和基板。所述基底呈中空状，且一端开口形成收容槽。所述基底相对的两侧壁上分别设有与收容槽连通的第一接口及第二接口，第一接口用于向收容槽中注入冷却介质，第二接口用于将收容槽中的冷却介质排出。所述基板用于盖封基底的开口，及用于与集成电路芯片接触。所述基板靠近收容槽的一侧形成若干微流道，这些微流道沿冷却介质流经方向间隔分布。每个微流道包括若干间隔分布的微绕流单元，每个微绕流单元包括圆柱状的分流体，每个分流体沿冷却介质流经方向延伸形成板状的引流部，这些引流部相互平行。如此可降低冷却介质的流动阻力及压力波动，提高散热效果。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路芯片散热结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021628711.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
CN212380414U
授权日 ：
2021-01-19
发明人 ：
杜蕾张振中和巍巍汪之涵
申请人 ：
深圳基本半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021628711.0
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/46 H01L23/467 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-01-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
