晶片的生成方法
公开
摘要
本发明提供晶片的生成方法，能够降低在后续工序中在晶片的外周区域产生缺损的可能性。仅对被加工物的除去外周区域之外的中央区域照射激光束而形成剥离层，该外周区域是从被加工物的外周缘至规定的距离内侧的区域。在该情况下，不会由于激光束的照射而在被加工物的外周区域形成剥离层，防止在被加工物的外周面形成烧蚀痕。其结果是，能够降低在对从该被加工物剥离的晶片进行后续工序时在该晶片的外周区域产生缺损的可能性。
基本信息
专利标题 ：
晶片的生成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114535815A
申请号 ：
CN202111292261.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平田和也
申请人 ：
株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨俊波
优先权 ：
CN202111292261.1
主分类号 ：
B23K26/36
IPC分类号 ：
B23K26/36 B23K26/362 H01L21/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工，例如焊接、切割、或打孔
B23K26/36
除掉材料
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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