一种化学气相沉积装置
授权
摘要
本申请公开一种化学气相沉积装置。该装置包括炉体、进气口、排气口以及导流装置。导流装置包括至少一个导流板。每一个导流板上开设有一个或以上通孔。当所述导流板中的数量为两个或以上时，相邻的两个导流板上的通孔的中心点在同一投影面上的正投影不重叠。所述导流装置的最上层导流板所在平面分隔所述炉体内部为第一区域以及第二区域，所述进气口贯通外界与所述炉体内部的第一区域，所述排气口贯通外界与所述炉体内部的第二区域，所述导流装置设置于所述第二区域。
基本信息
专利标题 ：
一种化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113818012A
申请号 ：
CN202111407947.0
公开（公告）日 ：
2021-12-21
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN113818012B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
新美光(苏州)半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路188号方正科技园北区C幢103
代理机构 ：
苏州禾润科晟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵传海
优先权 ：
CN202111407947.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2022-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20211125
申请日 : 20211125
2021-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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