本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种多栅极射频感应耦合离子源。本发明中，等离子体放电室位于射频耦合天线下面，为由电介质耦合窗、放电室侧壁和矩形栅极引出系统的引出栅构成的立方形腔体，等离子体放电室的外部设有离子源屏蔽水冷外壳和安装背板，等离子体放电室的上部和安装背板之间安装有对称放置的天线卡座，两个天线卡座之间设有电介质耦合窗；射频耦合天线安装在天线卡座上，等离子体放电室侧壁与离子源屏蔽水冷外壳之间设有弹性引线系统，等离子体放电室的底部设有矩形栅极引出系统，安装背板的上部安装有引线卡环。本发明能在较大尺寸范围内产生高均匀性准直离子束流，相比二栅和三栅结构，均匀性有极显著的提高。