一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用。方法包括：衬底上形成由下至上垂直堆叠的第一硅层、第一锗硅层、第二锗硅层、第三锗硅层、第二硅层；其中，第一锗硅层和第三锗硅层中锗的摩尔含量都大于第二锗硅层中锗的含量；刻蚀形成纳米堆叠结构；选择性刻蚀第一锗硅层和第三锗硅层，从而形成第一凹槽、第三凹槽；在第一凹槽、第三凹槽内形成扩展区内侧墙；选择性刻蚀第二锗硅层，形成栅极凹槽；在栅极凹槽内形成假栅；形成源漏极；形成具有浅沟槽隔离层的有源区；去除假栅，形成栅介质层、栅极。本发明能够很好的控制沟道尺寸、扩展区内侧墙尺寸、栅极尺寸等，并且在纳米片或纳米线结构中都适用。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直MOSFET器件及其制造方法、应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420751A
申请号 ：
CN202111479807.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈卓朱慧珑
申请人 ：
北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
史晶晶
优先权 ：
CN202111479807.4
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211206
申请日 : 20211206
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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