垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法
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摘要
一种垂直型半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在公共源极区上形成柱体结构，在柱体结构中层叠有导电层和数据储存材料；在包括柱体结构的公共源极区上形成栅绝缘层和栅电极材料；以及将栅电极材料去除至预定高度，以使栅电极材料在至少一个方向绝缘。或者，在每个柱体结构中层叠有导电层和第一绝缘层。所述方法还可包括：在包括栅电极材料的公共源极区上形成第二绝缘层以掩埋在柱体结构之间，将第二绝缘层平坦化以暴露出第一绝缘层的表面，以及去除第一绝缘层；以及将数据储存材料掩埋在去除了第一绝缘层的空间中。
基本信息
专利标题 ：
垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108305887A
申请号 ：
CN201810106383.9
公开（公告）日 ：
2018-07-20
申请日 ：
2013-10-30
授权号 ：
CN108305887B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
崔康植
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
厉锦
优先权 ：
CN201810106383.9
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L21/336 H01L45/00 G11C13/00 H01L27/22
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2018-08-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20131030
申请日 : 20131030
2018-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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