一种扇出型芯片封装结构及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种扇出型芯片封装结构及制造方法，其中，所述扇出型芯片封装结构包括塑封层、再布线层和N个芯片；N个芯片水平并列排放，且各芯片的功能面上均设置有芯片绝缘层和芯片引脚焊盘；塑封层包裹各芯片的侧面，或各芯片的侧面与背面，且所述塑封层的下表面与各芯片的功能面相齐平；再布线层覆盖设于各芯片的功能面以及所述塑封层的下表面，且所述再布线层上的封装引脚焊盘与各芯片的引脚焊盘电性连接，以扇出各芯片的芯片引脚；所述再布线层包括至少一层封装绝缘层，封装互连线路和封装引脚焊盘；封装引脚焊盘在间距大于电击穿的距离下，覆盖除了电隔离空间为工艺制程允许的最大区域，以强化热传导，提升封装结构散热性能。
基本信息
专利标题 ：
一种扇出型芯片封装结构及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496946A
申请号 ：
CN202111504212.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈博谦胡川燕英强陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈旭红
优先权 ：
CN202111504212.X
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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