SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置
公开
摘要
本发明公开了一种SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置，具体为：步骤1：根据流经SiC/Si混合并联器的负载电流选择开关模式；步骤2：采用迭代计算根据SiC/Si混合并联器件的损耗计算SiC MOSFET的结温Tj_MOS以及SiC MOSFET的结温Tj_IGBT；步骤3：在Tj_MOS和Tj_IGBT之间选择最大值作为参考结温Tj，如果Tj小于预设的第一参考结温Tref_j1，或者大于等于预设的第二参考结温Tref_j2，则采用最小损耗控制法计算SiC/Si混合并联器开关的开通、关断延迟时间；否则采用热平衡法。本发明提高了混合并联器的效率。
基本信息
专利标题 ：
SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114301269A
申请号 ：
CN202111538772.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
秦海鸿谢斯璇纪国盛王帅陈文明谢利标胡黎明
申请人 ：
南京航空航天大学;南京开关厂有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区御道街29号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
陆烨
优先权 ：
CN202111538772.7
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
