一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法

实质审查的生效

摘要

本发明涉及改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，在对LTO背封层去边时进行，先进行倒角，将倒角参数设定为300μm以内；而后进行HF腐蚀，HF腐蚀药液的体积为业界常规去边腐蚀液药液体积X的40％～50％，腐蚀时间为业界常规去边腐蚀液时间Y的70％～80％。本发明具体通过LTO膜去边距离调整、去边区域彩虹区大小调整以及平衡彩虹区与硅渣残留问题，有效降低半导体抛光片RRG水平至1％以下，且不会产生硅渣，有效的找到了一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法，极具创新性与实用性。

基本信息

专利标题：

一种改善衬底片外延后硅渣和自掺杂的去边方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114496726A

申请号：

CN202111550648.2

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2021-12-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

卢运增洪漪胡久林

申请人：

上海中欣晶圆半导体科技有限公司

申请人地址：

上海市宝山区山连路181号1幢

代理机构：

上海申浩律师事务所

代理人：

赵建敏

优先权：

CN202111550648.2

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211217

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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