一种单面粗化引线框架及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单面粗化引线框架及其制备方法，对引线框架基材进行前处理单面贴膜工艺；再采用双向脉冲电流，对经过前处理的引线框架基材进行先预镀铜后电镀粗铜处理；后对所述电镀粗铜进行后处理，即完成所需单面粗化的引线框架。本发明所述方法可提高引线框架在封装过程中的可靠性，从而稳定达到MSL1的水平，使封装后的集成电路在使用过程中不会产生分层，集成电路的使用寿命可以得到保证。引线框架包括本体、粗铜层和银层，本体为铜，粗铜层将本体包裹，银层位于粗铜层部分区域上。提高引线框架在封装过程中的可靠性，使封装后的集成电路在使用过程中不会产生分层，集成电路的使用寿命可以得到保证。
基本信息
专利标题 ：
一种单面粗化引线框架及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284155A
申请号 ：
CN202111603533.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王永辉王正强赵龙飞
申请人 ：
华天科技（宝鸡）有限公司
申请人地址 ：
陕西省宝鸡市高新开发区产业路西段88号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
王艾华
优先权 ：
CN202111603533.5
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495 C25D3/38 C25D5/00 C25D5/02 C25D7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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