多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架
公开
摘要
本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架。多层铝合金引线框架的制备方法，包括以下步骤：取用于制备引线框架的铝合金板带，铝合金板带包括合金面层和厚铝面层；在合金面层和厚铝面层上分别设置掩膜层；采用第一刻蚀液对合金面层进行垂直喷淋刻蚀，采用第二刻蚀液对厚铝面层进行垂直喷淋刻蚀；刻蚀后对铝合金板带抛光，之后去除铝合金板带上的掩膜层。多层铝合金引线框架，采用上述多层铝合金引线框架的制备方法制备而得。本申请所得的引线框架具有较高的加工精度，是一种高反光、小间距的引线框架；本申请采用双面喷淋刻蚀液的加工方法有利于提高多层铝合金引线框架的加工精度。
基本信息
专利标题 ：
多层铝合金引线框架的制备方法以及多层铝合金引线框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566433A
申请号 ：
CN202111653668.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阳军亮周辉周武刘波汪炼成李舀
申请人 ：
昆山弗莱吉电子科技有限公司;中南大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市玉山镇锦淞路399号
代理机构 ：
北京维正专利代理有限公司
代理人 ：
李鑫伟
优先权 ：
CN202111653668.2
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495 C09K13/04 C09K13/08 C23F1/02 C23F1/20 C23F1/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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