一种适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制...
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种适用于UVC‑LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法，首先清洁蓝宝石衬底并在衬底表面设置SiO2膜层，接着在SiO2膜层上设置光刻胶膜层，并通过光刻、显影的方式在SiO2膜层上形成周期不超过1000nm的光刻胶环形掩膜，然后采用BOE溶液在SiO2膜层上腐蚀形成凹坑，并通过干法刻蚀在凹坑处继续向下腐蚀，在蓝宝石衬底表面形成倒锥形凹坑，最后继续用BOE溶液腐蚀掉蓝宝石衬底表面残余的SiO2膜料，并将得到的纳米级图形化蓝宝石衬底清洗干净。通过本申请方法可制备得到目标纳米级图形化蓝宝石衬底，适用于UVC‑LED产品，且对比于凸台型图形衬底，更容易生长得到光滑的AlN外延层。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335280A
申请号 ：
CN202111637650.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯磊王杰
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘伊旸
优先权 ：
CN202111637650.3
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/00 H01L33/32
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/22
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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