一种电源电路封装结构及其封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开电源电路封装结构，包括塑封体、塑封体上的IC控制芯片、IC控制芯片两侧的第一金属基岛、第二金属基岛、连接IC控制芯片和第一金属基岛的MOS开关芯片，MOS开关芯片上设置第一聚酰亚胺层，IC控制芯片设置第二聚酰亚胺层，MOS开关芯片设置第一聚酰亚胺层的第一铜柱、与第一铜柱垂直并与第一金属基岛贴合的第一铜块，第一金属基岛向外延伸的第一引脚，贯穿第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层的第二铜柱和第二铜块，IC控制芯片上设置有位于第二铜柱之间第三铜柱、与第三铜柱垂直并与第二金属基岛贴合的第三铜块，第二金属基岛连接有向外延伸的第二引脚。本发明还提供电源电路封装方法，大大降低功耗并提高了工作频率。
基本信息
专利标题 ：
一种电源电路封装结构及其封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361055A
申请号 ：
CN202111671525.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾岚雁林河北梅小杰解维虎陈永金
申请人 ：
深圳市金誉半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)
代理机构 ：
深圳峰诚志合知识产权代理有限公司
代理人 ：
李明香
优先权 ：
CN202111671525.4
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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