电源芯片的封装方法及相应的封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种电源芯片的封装方法及相应的封装结构，其中该封装方法包括：提供一埋入式基板，所述埋入式基板内至少埋入有电源芯片，所述电源芯片电连接至所述埋入式基板；所述埋入式基板的顶部设置有若干第一引脚；提供至少一个线圈；将所述至少一个线圈放置在所述埋入式基板的顶部，并将每个线圈的两端焊接至对应的第一引脚，每个所述线圈的一端通过对应的第一引脚与所述电源内/芯片电连接；在所述埋入式基板的上方形成磁性封装体，所述磁性封装体覆盖在所述埋入式基板的顶部，且所述磁性封装体包覆所述线圈以及所述第一引脚。
基本信息
专利标题 ：
电源芯片的封装方法及相应的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334676A
申请号 ：
CN202111584935.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林升标邱亮明陈金富肖天鸾
申请人 ：
深圳市沃芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道4168号众冠时代广场A座41层4102
代理机构 ：
上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐桂凤
优先权 ：
CN202111584935.5
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L23/64 H01L23/29 H01L23/31 H01L23/367 H01F17/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
