一种系统级芯片及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种系统级芯片及其制作方法，通过衬底基板的多晶硅衬底实现高阻率衬底，及通过衬底基板的单晶硅衬底实现低阻率衬底；进而能够通过高阻率的多晶硅衬底支持射频芯片结构的功能，及通过低阻率的单晶硅衬底支持逻辑控制芯片结构的功能，达到在系统级芯片中实现逻辑控制芯片结构和射频芯片结构兼容的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种系统级芯片及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361042A
申请号 ：
CN202111677290.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高峰叶甜春朱纪军李彬鸿罗军赵杰王云
申请人 ：
广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市开发区开源大道136号A栋
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
林哲生
优先权 ：
CN202111677290.X
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L29/04 H01L23/498 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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