一种p-GaN HEMT中的新结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种p‑GaN HEMT中的新结构，包括如下步骤：外延生长；AlGaN与p‑GaN形成结；对外延生长的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN材料进行清洗；光刻隔离区；有源区台面隔离；刻蚀AlGaN与p‑GaN的结叠层；欧姆接触；栅极制备；钝化层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设的AlGaN/p‑GaN/AlGaN/GaN HEMT双结栅器件，通过在p‑GaN上面加了一层AlGaN盖帽层，形成结，提高栅极性能，抑制漏电流。该盖帽层不仅与p‑GaN层形成结，而且还作为阻挡层阻挡了载流子注入行为。由于双结栅减少了泄漏并扩大了栅极击穿电压，因此具有更好的直流特性、关态击穿电压和栅极可靠性，从而推进了制备更高可靠性GaN功率器件的进程。
基本信息
专利标题 ：
一种p-GaN HEMT中的新结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334650A
申请号 ：
CN202111680541.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周子游周炳翁加付王源政徐涛
申请人 ：
桂林理工大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111680541.X
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/06 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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