基于SU-8光阻胶的半导体功率器件及其制备方法和包括其的...
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摘要
基于SU‑8光阻胶的半导体功率器件及其制备方法和包括其的功率模块，本发明要解决现有半导体功率器件采用等离子体沉积或蚀刻工艺形成无机绝缘材料保护层时，容易在外延层中产生如裂缝损坏的问题。本发明半导体功率器件中在衬底上形成半导体叠层结构，在半导体叠层结构上互相隔离布置有源极和漏极；在半导体叠层结构上，介于源极和漏极之间设置有栅极；第一钝化层布置在栅极和半导体叠层结构之间，第二钝化层形成在栅极和半导体层的叠层结构上，第一钝化层和第二钝化层均包括光致光阻胶。本发明半导体功率器件中包括光致光阻胶的钝化层，能防止等离子体或蚀刻工艺对器件的损坏。
基本信息
专利标题 ：
基于SU-8光阻胶的半导体功率器件及其制备方法和包括其的功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112802802A
申请号 ：
CN202110055878.5
公开（公告）日 ：
2021-05-14
申请日 ：
2021-01-15
授权号 ：
CN112802802B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王琮
申请人 ：
王琮
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区繁荣街132号
代理机构 ：
哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人 ：
侯静
优先权 ：
CN202110055878.5
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L29/40 H01L29/778 H01L21/335 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/29
申请日 : 20210115
申请日 : 20210115
2021-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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