基于液体原料的单晶炉连续加料控制装置
授权
摘要
一种基于液体原料的单晶炉连续加料控制装置，包括熔料装置和加料装置；加料装置包括壳体、储料装置、运料装置，储料装置悬挂在壳体内部，熔料装置内置在单晶炉内部，出料装置通过出料管与运料装置连接，运料装置通过进料管将原料运送至熔料装置内部，熔料装置通过导料管将内部的原料运送到第一坩埚内，熔料装置外侧环绕有加热部件；还包括抽真空装置和掺杂器，用于称量熔料装置内部原料的第一称重传感器，用于称量晶棒实时增重量的第二称重传感器，安装在单晶炉副室内顶部的第一测距仪，安装在运料装置上的振动装置，以及控制器。本实用新型能够智能控制加料量，加入的原料其温度与坩埚内原有的原料温度接近，不影响晶棒的生长环境。
基本信息
专利标题 ：
基于液体原料的单晶炉连续加料控制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122267331.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-18
授权号 ：
CN216473572U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
佘辉燕靖乔帅帅
申请人 ：
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122267331.X
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B15/04 C30B15/28 C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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