一种高效高可靠性SOT23-6封装MOSFET引线框架结...
授权
摘要
本实用新型公开了一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构，涉及芯片技术领域。该一种高效高可靠性SOT23‑6封装MOSFET引线框架结构，包括MOSFET芯片以及基岛，所述MOSFET芯片安装在基岛的中心位置，基岛上侧设置有Pin5脚位，基岛下侧设置有Pin2脚位，基岛上右侧设置有Pin6脚位，基岛下右侧设置有Pin1脚位，基岛上左侧通过焊线连接有Pin4脚位，基岛下左侧通过焊线连接有Pin3脚位。在保证产品功能的基础上，将Pin1脚位和Pin6脚位与基岛合并连接，基岛承载芯片尺寸能力提高20％；取消了原基岛与Pin1脚位和Pin6脚位的焊线连接，提高了50％的键合效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高效高可靠性SOT23-6封装MOSFET引线框架结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122602523.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
CN216288426U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
陈侠陈明蒙嘉源黄祥田沁丰
申请人 ：
深圳电通纬创微电子股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区平湖街道力昌社区平龙东路349号2#厂房
代理机构 ：
深圳高企知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
秦瑞
优先权 ：
CN202122602523.1
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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