一种利用挥发扩散法进行单晶生长的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种利用挥发扩散法进行单晶生长的装置，包括第一反应容器和第二反应容器，两个反应容器设有开口，用于充填反应物；第二反应容器的中上部与第一反应容器的中上部连通；两个反应容器都可含有控温部件，用于进行加热或冷却；两个反应容器的连通管可以水平或倾斜设置。使用本实用新型提供的装置进行单晶生长，能够实现控制两个反应器中所盛溶剂的相对挥发速率和相互扩散方向的目的，最终实现晶体生长的顺利进行。
基本信息
专利标题 ：
一种利用挥发扩散法进行单晶生长的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122735723.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
CN216614934U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
姬海鹏
申请人 ：
郑州大学
申请人地址 ：
河南省郑州市高新区科学大道100号
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陆黎明
优先权 ：
CN202122735723.4
主分类号 ：
C30B31/10
IPC分类号 ：
C30B31/10 C30B31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
C30B31/10
反应室；其所用材料的选择
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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