一种膜结构、芯片基板及预处理装置
授权
摘要
本实用新型属于微电子技术领域，公开了一种膜结构及与之相应的芯片基板和预处理装置，使得不同深宽比的沟道在多介质层的刻蚀过程中得到了均衡处理；针对负载效应优化了特征图形的膜结构，采用不对称的设计使得不同区域的负载效应得到了改善；在16nm及以下应用场景下，可有效改善负载效应对工艺结构的影响，使长短沟道的功函数WFM刻蚀深度的负载值从140Å改善至50Å。
基本信息
专利标题 ：
一种膜结构、芯片基板及预处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122800624.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
CN216719953U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
钱凯陆连李全波
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202122800624.X
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L21/28
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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