半导体器件的跳线连接结构
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体器件的跳线连接结构，包括框架本体和跳线单元，所述跳线单元设置为多个，且阵列排布于所述框架本体上，所述跳线单元上沿竖直方向平行设置有用于焊接的第一凸台和第二凸台。本实用新型可在半导体器件封装时实现双面散热，增大散热面积，增强散热效果，还可以降低导通损耗，使得电流能力得到巨大提高。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的跳线连接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122900656.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216250719U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
夏大权马鹏周玉凤闫瑞东徐向涛马红强王兴龙张成方李述洲
申请人 ：
重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市梁平区梁山镇皂角村(重庆市双桂工业园区)
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张博
优先权 ：
CN202122900656.7
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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