一种高耐压肖特基二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种高耐压肖特基二极管，包括封装壳体，所述封装壳体的内部安装有半导体，且半导体的底端安装有引脚，所述半导体的外侧均匀设置有沟槽，所述封装壳体的底端设置有定位机构。本实用新型通过引脚外壁与第一定位套和第二定位套相接触并使其受力带动活动块在活动槽中移动，活动块带动定位弹簧进行伸缩，以便通过定位弹簧的作用推动第一定位套和第二定位套合并以起到对引脚的加强固定作用，同时配合密封圈及第一磁贴和第二磁贴的磁性连接作用，有利于在提高引脚使用稳定性的同时增强引脚与封装壳体之间的密封性能，使得空气中的潮湿水分不易从连接处进入对气内部元件产生影响，进一步提高其使用效果。
基本信息
专利标题 ：
一种高耐压肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123157055.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
CN216597558U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
孙孝兵
申请人 ：
连云港瑞而盛电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省连云港市海州区海州开发区振兴路15号院内生产厂房一、二层
代理机构 ：
连云港润知专利代理事务所
代理人 ：
赵术顺
优先权 ：
CN202123157055.8
主分类号 ：
H01L23/16
IPC分类号 ：
H01L23/16 H01L23/13 H01L23/367 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/16
容器中的填充料或辅助构件，例如定心环
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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