一种化学机械抛光研磨头薄膜
授权
摘要
本实用新型属于集成电路技术领域，提供了一种化学机械抛光研磨头薄膜，包括：第一区域；第二区域，位于第一区域的边缘，第二区域的厚度大于第一区域的厚度；第三区域，位于第二区域的边缘，第三区域的厚度大于第二区域的厚度。采用本申请实施例中的技术方案，本实用新型通过将薄膜划分为三个区域，从边缘至中心方向，薄膜厚度逐渐递减，从而改善了研磨时的压力分布，避免了现有薄膜结构容易造成研磨出的芯片边缘比中间厚的现象，提高了所研磨芯片的均匀度。
基本信息
专利标题 ：
一种化学机械抛光研磨头薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123197681.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216504315U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
刘文丰崔婷婷
申请人 ：
芯晞半导体科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区苏州大道东398号太平金融大厦5层5222室
代理机构 ：
南京源点知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄启兵
优先权 ：
CN202123197681.X
主分类号 ：
B24B37/11
IPC分类号 ：
B24B37/11 B24B37/34
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/11
研具
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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