一种掩膜版
授权
摘要
本实用新型涉及一种掩膜版。本实用新型包括掩膜版主体和挡板结构，所述掩膜版主体上表面内包括多个预定规律排列的开口区域，所述开口区域与所述挡板结构相对应，所述开口区域内部的台阶结构与所述挡板结构通过磁性材料相互吸附，牢固的将所述挡板结构固定在所述开口区域内，通过机械臂控制吸附探针对所述挡板结构进行操作，将需要暴露的开口区域的挡板结构取下，将不需要暴露的开口区域的挡板结构放回进行遮挡，通过单一的掩膜版控制不同开口区域的暴露，降低更换掩膜版的时间和使用多种掩膜版的成本。
基本信息
专利标题 ：
一种掩膜版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123375078.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
CN216595887U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李利哲王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城23幢205室
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
殷海霞
优先权 ：
CN202123375078.6
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00 G03F1/38 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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