一种实验室用电场条件下的单晶生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及了一种实验室用电场条件下的单晶生长装置，包括封盖、单晶生长室、弧形阴阳极板和底座，单晶生长室包括中心为圆柱形的主腔体和在主腔体外围的环形槽状副腔体，两腔体之间从外底部有向上的环形凸槽，弧形阴阳极板安装在环形凸槽中，并通过卡槽固定在底座上，副腔体外壁上部磨口与封盖相匹配；封盖的中心有一个上大下小的加料口，在主腔体中放入晶体生长原液，在副腔体放入易挥发且该晶体在该溶剂中易析出的溶剂，通过溶剂扩散来获取晶体，该装置也可用于反应结晶法、溶剂蒸发法和转换溶剂法等多种方法的电场条件下的单晶生长。
基本信息
专利标题 ：
一种实验室用电场条件下的单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123396648.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216663292U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘建胜陈红余李平
申请人 ：
山东第一医科大学（山东省医学科学院）
申请人地址 ：
山东省泰安市岱岳区长城路619号山东第一医科大学（山东省医学科学院）化学与制药工程学院
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123396648.X
主分类号 ：
C30B7/12
IPC分类号 ：
C30B7/12 C30B30/02 C30B7/14 C30B7/02 C30B7/04 C30B29/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/12
电解法
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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