芯片突变电压测试方法、装置及存储介质
授权
摘要
本发明公开了一种芯片突变电压测试方法、装置及存储介质，芯片突变电压测试方法包括：获取预设标准芯片的电容突变相关值，电容突变相关值为以预设扫描步长扫描预设标准芯片获取；获取测试芯片的预设总步数；根据所述电容突变相关值和所述预设总步数采用预设算法，确定测试芯片的突变电压值。相较于传统逐次扫描电压的方式，测试过程简单，极大降低扫描次数，缩小测试时间，大幅度提高芯片突变电压的测试效率，甚至可以更快的测试整卡lot的良率，适用于大规模量产，且适用于所述MEMS测突变电容产品。
基本信息
专利标题 ：
芯片突变电压测试方法、装置及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114062905A
申请号 ：
CN202210046262.6
公开（公告）日 ：
2022-02-18
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
CN114062905B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
史云龙詹冰冰孟宪伟沈丹江
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
成亚婷
优先权 ：
CN202210046262.6
主分类号 ：
G01R31/28
IPC分类号 ：
G01R31/28 G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/28
•电路的测试，例如用信号故障寻测器
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-03-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/28
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
