物理（化学）气相沉积法大面积制备单一相（铜、锡）双金属合...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了物理(化学)气相沉积法大面积制备单一相(铜、锡)双金属合金及其电化学应用，方法通过物理或化学气相沉积方法，将铜和锡沉积在导电基底或气体扩散电极上，得到单一相的双金属合金(Cu6Sn5或Cu3Sn或Cu5Sn4等)催化剂。所采用气相沉积法可采用热蒸发镀膜或磁控溅射等方法，通过控制物理气相沉积条件，包括铜与锡沉积速率、沉积温度、气压、磁控溅射功率等决定合金催化剂中铜锡组分比例，并调控双金属表面暴露晶面。方法能够一步大面积制备单一相(Cu6Sn5或Cu3Sn或Cu5Sn4等)铜锡双金属合金，选用金属原料储量丰富，绿色无毒，所制得催化剂能够应用于大电流环境下二氧化碳还原生产甲酸，方法在电催化二氧化碳方面具有很好的实用价值和工业化应用前景。
基本信息
专利标题 ：
物理（化学）气相沉积法大面积制备单一相（铜、锡）双金属合金及其电化学应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114457306A
申请号 ：
CN202210051801.5
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张明哲钟苗
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
江苏苏源律师事务所
代理人 ：
刘林
优先权 ：
CN202210051801.5
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/20 C23C14/54 C23C14/35 C22C9/02 C22C13/00 C25B11/032 C25B11/089 C25B3/26 C25B3/07
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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