一种清洗锗晶片的方法及其应用
授权
摘要
本申请涉及锗晶片清洗的技术领域，具体公开了一种清洗锗晶片的方法及其应用。清洗锗晶片的方法，包括以下步骤：步骤S1：将除污凝胶均匀涂覆于锗晶片表面，以水蒸气直接加热除污凝胶，冷却，干燥，除去除污凝胶；步骤S2：将锗晶片放置于碱性氧化液中浸泡，取出，所述碱性氧化液的原料包含NH3、H2O2水溶液；步骤S3：放置于HBr、HCl、HF、HNO3水溶液中浸泡，取出；步骤S4：用去离子水冲洗锗晶片至少三次；步骤S5：干燥。经过本申请中清洗锗晶片的方法清洗后的锗晶片具有清洁程度高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种清洗锗晶片的方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114082740A
申请号 ：
CN202210057083.2
公开（公告）日 ：
2022-02-25
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
CN114082740B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
任殿胜史铎鹏刘岩
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210057083.2
主分类号 ：
B08B11/00
IPC分类号 ：
B08B11/00 B08B3/08 B08B3/00 B08B7/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B08
清洁
B08B
一般清洁；一般污垢的防除
B08B11/00
专门适用于清洁柔韧的或精致的物品的方法或装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2022-03-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B08B 11/00
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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