一种在线辅助监控离子注入的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种在线辅助监控离子注入的方法,在晶圆的每个die中用于膜厚量测的pad中增加多个量测pad;在晶圆待注入区域进行离子注入的同时向量测pad中进行离子注入;当离子注入发生异常时,获得量测pad的X射线光电子能谱信号值;提供X射线光电子能谱信号值与离子注入剂量的线性方程;将量测pad的X射线光电子能谱信号值代入线性方程中,得到量测pad的实际离子注入剂量;将实际离子注入剂量与补打信息进行对比,若对比结果在允许差值范围内,则执行补打任务;若对比结果不在允许差值范围内,则对晶圆进行报废处理。本发明能够准确判断晶圆的实际作业情况,从而实现对离子注入工艺的在线辅助监控,降低生产成本并提高生产良率。
基本信息
专利标题 :
一种在线辅助监控离子注入的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496828A
申请号 :
CN202210076914.0
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张强强归琰
申请人 :
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
戴广志
优先权 :
CN202210076914.0
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66 H01L23/544 H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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