本发明提供了一种大发光角度倒装Mini‑LED芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该芯片包括：衬底及发光结构；半反半透膜层，设于所述衬底与所述发光结构之间，所述半反半透膜层由第一材料与第二材料交替生长形成；其中，所述衬底朝向所述半反半透膜层的一侧设有第一折射结构，所述半反半透膜层朝向所述衬底的一侧设有第二折射结构，所述第一折射结构与所述第二折射结构相对设置有多个锥形结构，并通过自身的锥形结构与另一者结合，且所述第一折射结构与所述第二折射结构中锥形结构的深度由中心向边缘递减。本发明能够解决现有技术中Mini‑LED芯片发光角度小，无法在较大规格的屏幕方面运用的技术问题。