一种滤波器芯片晶圆级封装结构及封装工艺
授权
摘要
本发明提出了一种滤波器芯片晶圆级封装结构及封装工艺。所述滤波器芯片晶圆级封装结构包括滤波器芯片晶圆和硅盖晶圆；所述滤波器芯片晶圆和硅盖晶圆上均设有多层金属叠加式金属键合层；所述滤波器芯片晶圆和硅盖晶圆通过所述多层金属叠加式金属键合层键合连接形成滤波器空腔。其中，所述滤波器空腔的厚度不少于2μm。所述封装结构及封装工艺能够有效降低工艺成本，并提高硅盖晶圆的机械强度。
基本信息
专利标题 ：
一种滤波器芯片晶圆级封装结构及封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114157260A
申请号 ：
CN202210123269.3
公开（公告）日 ：
2022-03-08
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
CN114157260B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南一道中科大厦508
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210123269.3
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/10 H03H9/46 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56 H01L21/60
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2022-03-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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