HTCC基板薄膜多层布线的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种HTCC基板薄膜多层布线的制作方法，主要步骤有：S1、提供HTCC基板，抛光、清洗并高温真空热处理所述HTCC基板；S2、在所述HTCC基板的表面形成第一金属布线层；S3、在所述第一金属布线层的表面形成第一绝缘介质层；S4、重复步骤S2‑S3至少4次，在HTCC基板表面完成不低于5层的薄膜多层布线。该制作方法可实现5层以上金属布线，解决了HTCC基板因烧结收缩带来的金属层对位问题，良品率高，成品金属布线的线宽/线间距最小达到20μm/20μm。
基本信息
专利标题 ：
HTCC基板薄膜多层布线的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496809A
申请号 ：
CN202210125543.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄陈欢徐浩然孙函子姚艺龙高磊车江波马涛
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新技术开发区合欢路19号
代理机构 ：
合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张梦媚
优先权 ：
CN202210125543.0
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/498 H05K3/46 H05K3/06 H05K3/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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