一种陶瓷基电路板的制备工艺及产品
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种陶瓷基电路板的制备工艺及产品，涉及电路板技术领域。一种陶瓷基电路板的制备工艺，包括以下步骤：在铜片的表面进行真空等离子体磁控溅射Cu2O，形成一层Cu2O膜；将陶瓷基片放置在铜片上，采用阶梯式间断升温法进行键合，得到电路基板；然后采用阶梯式间断降温法对电路基板进行降温；采用高低温交替法对电路基板铜面进行再结晶，冷却得到陶瓷基电路板。本发明采用阶梯式间断升温方法和阶梯式间断降温方法进行连续动态键合，可以使得铜片与陶瓷结合时的应力达到最大的释放，从而消除由于两种材料膨胀系数不同而产生的应力导致的弯曲现象。
基本信息
专利标题 ：
一种陶瓷基电路板的制备工艺及产品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114501820A
申请号 ：
CN202210158698.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高奉昌李长花张燕燕
申请人 ：
青州云领电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市青州市邵庄镇峱山经济发展区梁州路中段677号
代理机构 ：
北京麦汇智云知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴云
优先权 ：
CN202210158698.4
主分类号 ：
H05K3/00
IPC分类号 ：
H05K3/00 H05K3/02
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 3/00
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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