一种基于立方氮化硼(c-BN) 单晶材料的肖特基-PN结...
公开
摘要
本发明公开了一种基于立方氮化硼(c‑BN)单晶材料的肖特基‑PN结二极管,所述肖特基‑PN结二极管包括c‑BN晶体、ITO薄膜和Au电极。其中,在所述c‑BN晶体的两侧分别镀上ITO薄膜和Au电极,再将Au与In焊接,作为外接导线。Au/c‑BN/ITO肖特基‑PN结二极管的理想因子为25.15,开启电压为5V。本发明基于c‑BN单晶的电子器件制备与分析提供了思路。
基本信息
专利标题 :
一种基于立方氮化硼(c-BN) 单晶材料的肖特基-PN结二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114613852A
申请号 :
CN202210240601.4
公开(公告)日 :
2022-06-10
申请日 :
2022-03-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑伟林卓耿朱思琪
申请人 :
中山大学
申请人地址 :
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 :
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 :
高冰
优先权 :
CN202210240601.4
主分类号 :
H01L29/20
IPC分类号 :
H01L29/20 H01L29/47 H01L29/861
法律状态
2022-06-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载