一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法，在SiC衬底上外延漂移层，之后形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形阱区通孔，离子注入形成阱区；重新形成阻挡层，对阻挡层蚀刻形成环形有源区通孔，离子注入形成源区；将阻挡层清除后在漂移层上生长氧化层，形成阻挡层，对阻挡层以及氧化层蚀刻形成环形源极金属区通孔，金属淀积形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层以及氧化层蚀刻形成肖特基金属区通孔，金属淀积形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成栅极区通孔，金属淀积形成栅极金属层；清除阻挡层，金属淀积形成漏极金属层；提高器件的电流密度，功率密度做高，充分发挥SiC器件宽禁带材料的特性。
基本信息
专利标题 ：
一种圆形栅纵向MOSFET功率器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496761A
申请号 ：
CN202210354799.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张长沙李佳帅何佳
申请人 ：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王牌
优先权 ：
CN202210354799.9
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336 H01L29/417 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20220406
申请日 : 20220406
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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