一种用于晶圆刻蚀系统的承漏盘
授权
摘要
本实用新型提供一种用于晶圆刻蚀系统的承漏盘，包括左承漏盘和右承漏盘，其特征在于，所述左承漏盘由底板A和侧板A连接成矩形凹槽结构，所述底板A下方固接有四个支撑腿A，所述底板A一角开设有一个排液孔A，所述左承漏盘一侧开设有向内凹进的矩形通孔，所述开设通孔一侧的侧板A开设有安装孔A，所述右承漏盘由底板B和侧板B连接成矩形凹槽结构，所述底板B下方固接有四个支撑腿B，所述底板B一角开设有一个排液孔B，所述右承漏盘一侧的侧板B上开设有安装孔B。本实用新型通过采用左、右两块承漏盘栓接拼装方式组装承漏盘整体，使得承漏盘拆装方便，便于维修，无需切割、补焊承漏盘，提高了设备维修效率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于晶圆刻蚀系统的承漏盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220034285.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-08
授权号 ：
CN216563048U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
孙乐高景作赵小江
申请人 ：
大连地拓电子工程技术有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市高新技术产业园区广贤路133号赛伯乐大厦4层A434室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202220034285.0
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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