半导体快速热处理系统的石英腔
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
半导体快速热处理系统的石英腔属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。其要点是采用了双层石墨板作红外辐射源，并解决了双层石墨板加热半导体片测温问题，双层石墨板外加装了涂有介质膜的红外反射板，使半导体片的升温速率加快，并使能耗降低了70％以上。
基本信息
专利标题 ：
半导体快速热处理系统的石英腔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87202679.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-03-05
授权号 ：
CN87202679U
授权日 ：
1988-01-13
发明人 ：
钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
胡兰芝
优先权 ：
CN87202679.5
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
1995-09-13 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1992-05-27 ：
专利权有效期的续展
1988-08-31 ：
授权
1988-01-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
