共地化半导体管座的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
共地化半导体管座的制造方法，属于半导体管座制造技术领域，本发明通过引入特定形状的氧化锁，氧化铝瓷片及熔铸云母作绝缘导热片，并在基座上设计了特定的导热片安放位置，实现了封装件的共地化。采用绝缘子与密封圈一体化或半空式绝缘子达到了封装件高气密性标准。本发明的方法简化了烧结工艺，提高了半导体管座的各项性能。
基本信息
专利标题 ：
共地化半导体管座的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035023A
申请号 ：
CN88105211.6
公开（公告）日 ：
1989-08-23
申请日 ：
1988-02-04
授权号 ：
CN1010908B
授权日 ：
1990-12-19
发明人 ：
苗庆海张兴华李如尧
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
孙君
优先权 ：
CN88105211.6
主分类号 ：
H01L23/13
IPC分类号 ：
H01L23/13 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/13
按形状特点进行区分的
法律状态
1995-03-29 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-07-31 ：
授权
1990-12-19 ：
审定
1989-11-01 ：
实质审查请求
1989-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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