晶片校角与研磨一体化的方法和装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种晶片的磨削加工方法和装置，特别涉及一种晶片加工中校角与研磨一体化的方法和装置，其特征是根据晶片切角误差的大小采用相应倾斜度的系列标准斜面基板固定晶片，使晶片的校角与研磨一同完成，提高了晶片校角的精度和效率，省时、省功、解决了晶片大批量生产切角精度的同一性、稳定性，其优点是非常突出的。
基本信息
专利标题 ：
晶片校角与研磨一体化的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1047998A
申请号 ：
CN90106569.2
公开（公告）日 ：
1990-12-26
申请日 ：
1990-08-03
授权号 ：
CN1015969B
授权日 ：
1992-03-25
发明人 ：
范正强姚克孙瑞生刘秉权
申请人 ：
航空航天工业部第二研究院二○三所
申请人地址 ：
100854北京市142信箱408分箱
代理机构 ：
航空航天工业部第二研究院专利代理事务所
代理人 ：
段伦淮
优先权 ：
CN90106569.2
主分类号 ：
B24B37/04
IPC分类号 ：
B24B37/04
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/04
适用于加工平面的
法律状态
1996-09-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-01-06 ：
授权
1992-03-25 ：
审定
1990-12-26 ：
公开
1990-12-05 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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