用于半导体器件制造的、包括凝胶层的掩模图形及其形成方法
授权
摘要
掩模图形包括抗蚀剂图形和抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点。还提供形成掩模图形的方法和使用该掩模图形作为刻蚀掩模制造半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件制造的、包括凝胶层的掩模图形及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1752846A
申请号 ：
CN200510106911.3
公开（公告）日 ：
2006-03-29
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
畑光宏金贤友夏政焕禹相均
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510106911.3
主分类号 ：
G03F7/11
IPC分类号 ：
G03F7/11 G03F7/038 G03F7/075 G03F7/027 G03F7/023
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/09
以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层
G03F7/11
具有覆盖层或中间层的，例如，胶层
法律状态
2012-01-11 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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