利用微机电系统制造集成电路的可重构掩模的方法和器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种利用镜器件阵列照射目标物以对位于目标物之上的光敏材料进行选择性图案化的方法。该方法包括将利用泛光光束的电磁辐射施加到镜器件阵列上。所述镜器件中的每一个与待要曝光到光敏材料上的图案的像素相关联。该方法还包括选择性地致动所述阵列上的一个或多个镜,以将光束中的相应部分偏转到光敏材料的相应部分上,来对目标物上的光敏材料的所述部分进行曝光。该方法使一个或多个其他的镜保持在选定的位置,以使所述光敏材料的相应其他部分保持不被曝光。优选地,曝光的部分和未曝光的部分形成被曝光到光敏材料上的图案。
基本信息
专利标题 :
利用微机电系统制造集成电路的可重构掩模的方法和器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1963672A
申请号 :
CN200510110313.3
公开(公告)日 :
2007-05-16
申请日 :
2005-11-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邱慈云
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 :
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 :
陈红
优先权 :
CN200510110313.3
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G02B26/08 G03F1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-04-22 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 :
实质审查的生效
2007-05-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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