本发明公开了一种具有改进接触结构的半导体器件。该器件具有半导体衬底，例如，硅晶片。该器件具有多个在部分半导体衬底上形成的栅极结构(例如，MOS栅极结构)。该器件还具有栅极介电层和绝缘结构，例如，绝缘槽。该器件具有覆盖在栅极结构上的第一层间电介质(例如，低K，BPSG，PSG，FSG)。在优选实施方案中，第一层间介电层具有基本上平坦的表面区域。该器件具有覆盖在第一层间介电层的基本上平坦的表面区域上的第一铜互连层。该器件还具有覆盖在第一铜互连层上的第一低K介电层。第二铜互连层覆盖在低K介电层上。第一铜层和第二铜层之间的铜环结构封闭第一低K介电层的整个内区。在优选实施方案中，在第一铜互连层和第二铜互连层之间提供铜环结构以维持第一低K介电层内区。接合焊盘结构覆盖在内区的区域上。