半导体器件
专利权的终止
摘要
提供一种能够整体地控制存在于一种导电类型的区域中的晶体管和存在于相反导电类型的区域中的晶体管的栅电极的阈值同时抑制噪声传播的半导体器件。数字电路区(123)和模拟电路区(121)位于P－Si衬底(101)上。P阱(103)和(193)以及N阱(105)和(195)位于模拟电路区(121)中。P阱(107)和(197)以及N阱(109)和(199)位于数字电路区(123)中。网格状的深N阱(111)与P阱(103)和N阱(105)的下表面接触。网格状的深N阱(113)与P阱(107)和N阱(109)的下表面接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763956A
申请号 ：
CN200510113754.9
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大洼宏明中柴康隆
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200510113754.9
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2014-12-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591312047
IPC(主分类) : H01L 27/08
专利号 : ZL2005101137549
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20131014
号牌文件序号 : 101591312047
IPC(主分类) : H01L 27/08
专利号 : ZL2005101137549
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20091230
终止日期 : 20131014
2010-12-22 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101056586905
IPC(主分类) : H01L 27/08
专利号 : ZL2005101137549
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101056586905
IPC(主分类) : H01L 27/08
专利号 : ZL2005101137549
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2009-12-30 ：
授权
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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