半导体器件

专利权的终止

摘要

在半导体器件的硅衬底(120)上，提供场氧化物膜(101)。在场氧化物膜(101)上，提供两个熔丝(104)。在位于硅衬底(120)中熔丝(104)的正下方，提供n型阱(102)。除了n型阱(102)，以围绕位于硅衬底(120)中的熔丝(104)正下方的区域的方式提供p型阱(103)。在硅衬底(120)和场氧化物膜(101)之上提供覆盖绝缘膜(108)。在覆盖绝缘膜(108)中嵌入由接触(106)和互连(107)构成的密封环，从而围绕熔丝(104)。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1783481A

申请号：

CN200510116121.3

公开（公告）日：

2006-06-07

申请日：

2005-10-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

三轮清尚刈谷奈由太

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200510116121.3

主分类号：

H01L23/525

IPC分类号：

H01L23/525 H01H85/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/525

具有可适用互连装置的

法律状态

2020-10-16 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/525
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20191026

2017-12-22 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 23/525
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京

2010-12-22 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101056385340
IPC(主分类) : H01L 23/525
专利号 : ZL2005101161213
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川

2009-07-01 ：

授权

2006-08-02 ：

实质审查的生效

2006-06-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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