基片处理设备的清洁基片及其优选的耐热性树脂
授权
摘要
本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。
基本信息
专利标题 ：
基片处理设备的清洁基片及其优选的耐热性树脂
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1778830A
申请号 ：
CN200510124931.3
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
寺田好夫藤井弘文并河亮宇圆田大介天野康弘
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
封新琴
优先权 ：
CN200510124931.3
主分类号 ：
C08G73/10
IPC分类号 ：
C08G73/10 C09D179/08 H01L21/312
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G73/00
不包括在C08G12/00到C08G71/00组内的，在高分子主链中形成含氮的键合，有或没有氧或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G73/06
在高分子主链中有含氮杂环的缩聚物；聚酰肼；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体
C08G73/10
聚酰亚胺；聚酯-酰亚胺；聚酰胺-酰亚胺；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺的母体
法律状态
2009-09-02 ：
授权
2007-01-17 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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