制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法

专利权的终止

摘要

一种制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法，包括：在轻参杂硅衬底上依次生长子收集区、收集区、基区及发射区，形成制作器件的基片；采用干法刻蚀的方法，在器件基片的表面相隔预定间距刻蚀至收集区，形成子单元台面；在子单元台面上制作发射极金属电极，利用发射极金属电极作掩蔽，采用湿法腐蚀形成基区台面；采用带胶剥离的方法在基区台面和收集区台面同时形成基区和收集区电极；在经过制作的基片表面淀积二氧化硅包层，在该二氧化硅包层上光刻腐蚀电极孔；再在二氧化硅包层上蒸镀金属电极、光刻腐蚀形成单元互联电极，完成器件的制作。

基本信息

专利标题：

制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979777A

申请号：

CN200510126327.4

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

薛春来成步文姚飞王启明

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

优先权：

CN200510126327.4

主分类号：

H01L21/331

IPC分类号：

H01L21/331