激光等离子EUV光源、靶材构件、胶带构件、靶材构件的制造...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
将靶材(1)的方向调整为圆板的方向后，由具有缝隙状开口的喷嘴(2)喷出，并搭载于气体流搬送，本例使用氦气流。或用压电元件振动喷嘴(2)喷出靶材(1)也可。因喷嘴(2)外部保持高真空状态，故由喷嘴(2)放出的靶材(1)，保持原来的姿势到达激光的照射位置。在供给靶材(1)的同时，由Nd:YAG激光源(4)发出脉冲激光(5)，并经透镜(3)聚光后照射到靶材(1)。该靶材(1)的直径与激光的光点直径同为1mm，其厚度为1000nm以下，所以该靶材几乎全部等离子化，能够抑制飞尘的发生并提高变换效率。
基本信息
专利标题 ：
激光等离子EUV光源、靶材构件、胶带构件、靶材构件的制造方法、靶材的提供方法以及EUV曝光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101002305A
申请号 ：
CN200580027402.X
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
村上胜彦井上英也
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
左一平
优先权 ：
CN200580027402.X
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G21K5/08 G03F7/20 H05G2/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2012-01-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101262713127
IPC(主分类) : H01L 21/027
专利申请号 : 200580027402X
公开日 : 20070718
号牌文件序号 : 101262713127
IPC(主分类) : H01L 21/027
专利申请号 : 200580027402X
公开日 : 20070718
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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