膜的制造方法与使用该方法制造的膜的半导体装置
专利权的终止
摘要
本发明提供使用具有硼嗪骨架的化合物(优选下述化学式(1)(式中，R1－R6可以分别相同也可以不同，分别单独地选自氢原子、C1－4的烷基，链烯基或炔基，并且R1－R6的至少1个不是氢原子)表示的化合物)作为原料，采用化学气相淀积法在基板上形成膜的方法中，对设置前述基板的部位施加负电荷为特征的膜的制造方法，及使用该方法制造的膜的半导体装置。采用这样的发明可提供长期、稳定地得到低介电常数和高机械强度，同时降低加热膜时放出的气体成分(放出气)量，不引起器件制造工艺上的问题的膜的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
膜的制造方法与使用该方法制造的膜的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101023516A
申请号 ：
CN200580031218.2
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2005-10-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
熊田辉彦保田直纪信时英治松本纪久松野繁
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN200580031218.2
主分类号 ：
H01L21/312
IPC分类号 ：
H01L21/312 C23C16/38 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312
有机层，例如光刻胶
法律状态
2014-12-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101589712186
IPC(主分类) : H01L 21/312
专利号 : ZL2005800312182
申请日 : 20051007
授权公告日 : 20090225
终止日期 : 20131007
号牌文件序号 : 101589712186
IPC(主分类) : H01L 21/312
专利号 : ZL2005800312182
申请日 : 20051007
授权公告日 : 20090225
终止日期 : 20131007
2009-02-25 ：
授权
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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