使用划线及折断工艺对光学器件进行晶片级封装的方法和装置

专利权的终止

摘要

一种多层集成光学和电路装置具有包括至少一个集成电路芯片的第一衬底(101)，所述集成电路芯片包括单元区域(107)和周边区域(106)。优选地，周边区域具有包括具有一个或多个接合焊盘(115)的接合焊盘区域(109)和围绕所述一个或多个接合焊盘(115)中各个接合焊盘的抗粘着区域(112)。该装置具有耦合到第一衬底(101)的第二衬底(114)，第二衬底上带有至少一个或多个偏转器件(103)。将第一衬底(101)上至少一个或多个接合焊盘(115)暴露。该装置具有透明部件(201)，透明部件覆盖于第二衬底(114)上方并同时形成空腔区域以形成夹层结构，空腔区域允许所述一个或多个偏转器件(103)在部分空腔区域中运动，夹层结构包括至少部分第一衬底(101)、部分第二衬底(114)、以及部分透明部件(201)。使所述一个或多个接合焊盘(115)以及抗粘着区域(112)暴露，而将所述一个或多个偏转器件(103)保持在所

基本信息

专利标题：

使用划线及折断工艺对光学器件进行晶片级封装的方法和装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101073144A

申请号：

CN200580042247.9

公开（公告）日：

2007-11-14

申请日：

2005-12-05

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

杨晓陈东敏菲利普·陈

申请人：

明锐有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷

优先权：

CN200580042247.9

主分类号：

H01L21/30

IPC分类号：

H01L21/30 H01L21/46

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

法律状态

2019-11-22 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/30
申请日 : 20051205
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20181205

2009-08-05 ：

授权

2008-02-06 ：

实质审查的生效

2007-11-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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